如果你需要购买磨粉机，而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别，那么下面让我来给你讲解一下： 雷蒙磨和球磨机外形差异较大，雷蒙磨高达威猛，球磨机敦实个头也不小，但是二者的工
随着社会经济的快速发展，矿石磨粉的需求量越来越大，传统的磨粉机已经不能满足生产的需要，为了满足生产需求，黎明重工加紧科研步伐，生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
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2021年6月11日 — 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体： 将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅微粉原料。 SiC 晶体： SiC 晶体的制备方法主要有物理气相传输法 (physical vapor
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2023年9月12日 — 最简单的碳化硅制造方法包括在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。 颜色更深、更常见的碳化硅通常含有铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。 加热后，这些晶体会在较低温度下沉积到石墨上，这一过程称为“雷利法”。 雷利法 ：在此过程中，花岗岩坩埚通常通过感应加热到非常高的温度，以使碳化硅粉末
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2023年3月13日 — 碳化硅器件制备过程中相对特殊的设备或要求：需使用分步投影光刻机、专用的碳化硅外延炉、高温离子注入机、高温退火和高温 氧化设备；干法刻蚀设备需更高的刻蚀功率； 器件封装过程中的减薄机需针对碳化硅材料脆硬特性改进；划片机需针对碳化硅导热性
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2020年10月21日 — 以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。
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2023年6月22日 — 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。 颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。 加热后，这些晶体在较低的温度下沉积在石墨上，这一过程称为 Lely 法。 Lely 法 ：在此过程中，通常通过感应将花岗岩坩埚加热到非常高的温度，以升华碳化硅粉末。
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2023年5月21日 — 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？ 中国粉体网讯 碳化硅是当下最为火热的赛道之一，据不完全统计，仅在2022年，国内新立项/签约的碳化硅项目就超过20个，总投资规模超过476亿元。 其中，设备作为碳化硅产业链中的重要一环，正在飞速发展。 事实上
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2020年6月10日 — 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成
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2023年5月4日 — 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。 碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。
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2024年1月26日 — 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 SiC 四面体。 而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。
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2024年8月24日 — 在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大(目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。
